Electron scattering and low frequency fluctuation in InAs films on low-k flexible substrates
Dịch tên luận án
Tán xạ điện tử và nhiều loạn tần số thấp trong màng InAs trên để linh hoạt có hệ số điện môi thấp
Phụ đề
Thesis : Materials Science
Tác giả
Nguyen Thanh Cong
Khu vực
Ishikawa
Nơi xuất bản
Japan Advanced Institute of Science and Technology, Date for presentation: 2013
Năm xuất bản
2013
Số trang
134 p.
Ngôn ngữ
Tiếng Anh
Từ khóa
Vật liệu học
Tóm tắt
Luận án nghiên cứu công nghệ tích hợp màng InAs bằng phương pháp MBE trên để linh hoạt có hằng số điện môi thấp FET. Chế tạo Hall-bar để khảo sát tính chất điện của màng InAs trên đế này. Giải thích cơ chế biểu hiện của các tính chất điện như độ linh động
Bánh xe lăn, phím mũi tên, PgUp, PgDn, Home, End để di chuyển trang. Phím +, ‒ trên bàn phím số để phóng to/thu nhỏ trang.