Trang chủ
Tìm kiếm
Trợ giúp
LUẬN ÁN TIẾN SĨ - Cơ sở dữ liệu toàn văn
> Analysis and improvement of interface between gate insulator and conductive channel in ferroelectric gate transistor 2012
Analysis and improvement of interface between gate insulator and conductive channel in ferroelectric gate transistor, 2012
Luận án
Thông tin
Nội dung
Mã kho
LA12.1488.3
Tên luận án
Analysis and improvement of interface between gate insulator and conductive channel in ferroelectric gate transistor
Phụ đề
Thesis
Tác giả
Pham Van Thanh
Khu vực
Japan
Nơi xuất bản
School of Materials Science ; Defence: 21/08/2012
Năm xuất bản
2012
Ngôn ngữ
Tiếng Anh
Từ khóa
Gốm, Vật liệu cách điện, Sắt điện
Tóm tắt
Nghiên cứu các phương pháp cải tiến mặt phân cách giữa lớp cách điện và kênh dẫn của transistor sử dụng vật liệu sắt điện làm cực cửa cách điện
Bánh xe lăn, phím mũi tên, PgUp, PgDn, Home, End
để di chuyển trang.
Phím +, ‒ trên bàn phím số
để phóng to/thu nhỏ trang.
x