Épitaxie sélective et propriétés optiques, electriques des Ilot quantiques de Ge sur Si(001)
Phụ đề
Thèse
Tác giả
Nguyen Huu Lam
Khu vực
Paris
Nơi xuất bản
Univesité Paris
Năm xuất bản
2004
Số trang
172tr.
Ngôn ngữ
Tiếng Pháp
Từ khóa
Điện tử, Lượng tử, Chất bán dẫn
Tóm tắt
Nghiên cứu phương pháp mới để chế tạo các chấm lượng tử Ge trên đế bán dẫn Si (001), chế tạo có chọn lọc, nghiên cứu các tính chất quang, điện của các chấm lượng tử đó
Bánh xe lăn, phím mũi tên, PgUp, PgDn, Home, End để di chuyển trang. Phím +, ‒ trên bàn phím số để phóng to/thu nhỏ trang.