Épitaxie sélective et propriétés optiques, electriques des Ilot quantiques de Ge sur Si(001)

Thèse

Nguyen Huu Lam

Paris

Univesité Paris

2004

172tr.

Tiếng Pháp

Điện tử, Lượng tử, Chất bán dẫn

Nghiên cứu phương pháp mới để chế tạo các chấm lượng tử Ge trên đế bán dẫn Si (001), chế tạo có chọn lọc, nghiên cứu các tính chất quang, điện của các chấm lượng tử đó